前言

概述

本文档详细介绍了WS53V100系列芯片 硬件设计时关键器件选型的推荐参数和选型指南。

产品版本

与本文档相对应的产品版本如下。

产品名称	产品版本
WS53	V100

读者对象

本文档主要适用于以下工程师：

• 单板硬件开发工程师

• 技术支持工程师

符号约定

在本文中可能出现下列标志，它们所代表的含义如下。

符号	说明
	表示如不避免则将会导致死亡或严重伤害的具有高等级风险的危害。
	表示如不避免则可能导致死亡或严重伤害的具有中等级风险的危害。
	表示如不避免则可能导致轻微或中度伤害的具有低等级风险的危害。
	用于传递设备或环境安全警示信息。如不避免则可能会导致设备损坏、数据丢失、设备性能降低或其它不可预知的结果。 “须知”不涉及人身伤害。
	对正文中重点信息的补充说明。 “说明”不是安全警示信息，不涉及人身、设备及环境伤害信息。

修改记录

文档版本	发布日期	修改说明
01	2024-08-08	第一次正式版本发布。
00B02	2024-07-15	更新“时钟器件”小节内容。
00B01	2024-06-11	第一次临时版本发布。

关键器件选型约束

关键器件按功能可以分为：

• 时钟器件

• 电源功率器件

• 时钟器件

• 电源功率器件

时钟器件

WS53系列芯片晶体时钟支持32MHz，时钟电路外部晶体电气特性的要求如表1所示。

表 1 Crystal电气特性要求

参数	符号	晶体选型规格				单位	备注
标称频率	f	32	32	32	32	MHz	-
负载电容	CL	7	8	9	12[1]	pF	-
Xout串联电容	C	18	18	27	-	pF	XOUT预留0Ω电阻串位，用于调节晶体寄生电容。其中12pF晶体无需串联电容。
频率容差	f_tol	±10	±10	+10	+10	ppm	晶体初始频偏
频率稳定性	f_temp	±10	±10	+10	+10	ppm	晶体温漂
激励功率	DL[2]	≥100	≥100	≥100	≥100	µW	-
等效电阻	ESR	≤60 max	≤60 max	≤60 max	≤60 max	Ω	-
动态电感	Lm[3]	8.3~10.8	7.1~10.0	5.8~11.7	5.8~9.2	mH	-
动态电容	C1[3]	2.3~3	2.48~3.5	2.12~4.29	2.7~5.55	fF	-
静态电容	C0	≤2	≤2	≤2	≤2	pF	-
工作温度	T	-30~+85	-30~+85	-30~+85	-30~+85	℃	-
存储温度	T_s	-40~+125	-40~+125	-40~+125	-40~+125	℃	-

其中：

• CL：Crystal负载电容。

• ESR：Crystal等效串联电阻。

• 推荐晶体参数：CL 8pF，ESR 60Ω(max)，Lm 9.97mH，C1 2.48fF，C0 0.7pF。

• 1612封装因为C1和Lm差异较大，频偏校准范围只支持±20ppm。

• 标注[1]：CL为12pF的晶体，XO支撑以慢启方式启动。

• 标注[2]：若晶体DL（max）小于100μW，须在XOUT处串联30Ω电阻，并且XO频偏校准范围为±20ppm。

• 标注[3]：表格里是Type值，Lm和C1覆盖范围是type值±10%。

电源功率器件

表 1 WS53系列芯片BUCK功率电感推荐规格

器件类型	推荐约束条件	说明
BUCK功率电感	电感值2.2μH，±20%。 直流电阻（Rdc）≤0.3Ω。 饱和电流≥800mA。	建议选用Rdc较小的功率电感（Rdc增大会导致功耗增加，效率变低，Rdc从0.1Ω增加到0.2Ω，重载效率会降低1~2个百分点 ）。