BS2X指导资料
前言¶
本文档详细的描述了BS2X各种场景下功率调整方式以及具体的操作指导，同时提供了常见的注意事项。
本文档主要适用于以下工程师：
技术支持工程师
软件开发工程师
在本文中可能出现下列标志，它们所代表的含义如下。
更新“BLE广播参数结构”小节内容。 |
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更新“定制化NV结构”小节内容。 |
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更新“定制化NV结构”小节内容。 |
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射频功率配置说明¶
产线TX测试功率¶
BLE/SLE GFSK TX¶
功率档位说明¶
BS2X BLE/SLE GFSK定义了0~5一共6个功率档位，最大档位是5档，默认为6dBm。每往下一档递减2dB。
说明： 产测BLE测试模式常发（非信令）的功率为上电默认的最大功率档位，只能通过配置“最大功率”修改（详见“定制化最大功率”），不能通过指令参数调整功率档位。
测试模式SLE GFSK调制的功率调整可通过修改AT指令第二个参数实现。
1M GFSK测试模式TX：
AT+SLETX=0,5,255,0,0,0,0,0,0,50
第二个参数为5，说明此时发射功率为最大档6dBm。
SLE PSK TX¶
功率档位说明¶
BS2X SLE PSK定义了0~5共6个功率档位，最大档位是5档，默认为2dBm。每往下一档递减2dB。
测试模式SLE PSK 调制的功率调整可通过修改AT指令第二个参数实现。
1M QPSK测试模式TX：
AT+SLETX=0,5,255,0,0,2,2,3,2,50
第二个参数为5，说明此时发射功率为最大档2dBm。
phy和帧类型、导频、编码等参数配置请参见《BS2XV100 射频 AT测试指南》。
定制化最大功率¶
NV存储定制化功率¶
由于产品特性差异，sdk开发者可根据需求修改BLE TX和SLE TX信号的最大功率，修改后，产线测试和商用版本实际业务场景的最大功率将被定制化，即最大档位（5档）的实际功率变为定制化的功率，之后的4-0档依次递减2dB。
由于实际影响功率的寄存器配置会在下电后清零，因此需要把功率配置保存在非易失性内存（Non-Volatile Memory）中。
注意：通过修改NV配置最大功率影响整个芯片的射频TX，即包括产线测试的TX信号强度和实际业务的最大档位发射信号强度。
NV介绍¶
NV全称Non-Volatile Memory ，即非易失性内存。BS2X的NV是一块flash memory。
定制化NV结构¶
#define BTH_BLE_NV_RESERVED_ID 0xE
NV结构体使用预留的ID为0xE的结构
typedef struct { /* Keys that indexes by addr */
uint8_t reserve[BTH_BLE_RESERVE_LEN];
} bth_ble_nv_reserved_struct_t;
"bth_reserve_struct": {
"key_id": "0xE",
"key_status": "alive",
"structure_type": "bth_ble_nv_reserved_struct_t",
"attributions": 1,
"value": [
[
01, 02, 63, 24, 36, 0, 8, 05, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0,
0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0,
0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0,
0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0,
0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0,
0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0,
0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0,
0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0
]
]
},
目前已使用的字节如下：
|
||
例如：修改BLE和SLE GFSK调制信号的功率最大值为2dBm（默认最大6dBm），以及修改SLE PSK调制的最大功率为-2dBm（默认最大2dBm）需要修改以下几点：
第三字节的6改为2（十进制），第四字节2改为-2（十进制，负数直接写-号）。
第一字节的bit[0]写1，即使能BLE功率的配置；bit[1]写1，即使能SLE PSK调制的功率配置，合起来，第一字节的低两bit位拉高，即0b00000011，第一字节写成3（十进制）。
注意：以上两个修改缺一不可，通过接口修改NV时，也需要修改第一字节的flag标志位。
NV的读写¶
NV只能根据结构体ID整块读写，不能单独读取几个字节。 写NV时需要先整块读出，可根据偏移修改部分内容后写回。
读NV接口¶
errcode_t uapi_nv_read(uint16_t key, uint16_t kvalue_max_length, uint16_t *kvalue_length, uint8_t *kvalue);
使用实例：
uint16_t key = TEST_KEY;
uint16_t key_len= test_len;
uint16_t real_len= 0;
uint8_t *read_value = uapi_malloc(key_len);
if (uapi_nv_read(key, key_len, &real_len, read_value) != ERRCODE_SUCC) {
/* ERROR PROCESS */
uapi_free(read_value);
return ERRCODE_FAIL;
}
/* APP PROCESS */
uapi_free(read_value);
return ERRCODE_SUCC;
写NV接口¶
errcode_t uapi_nv_write(uint16_t key, const uint8_t *kvalue, uint16_t kvalue_length);
使用实例：
写入默认Normal类型NV。
uint8_t *test_nv_value; /* 要写入的NV value保存在test_nv_value中 */
uint32_t test_len = 15; /* 长度为test_len ，例中为15*/
uint16_t key = TEST_KEY; /* TEST_KEY 为该Key的ID*/
uint16_t key_len= test_len;
uint8_t *write_value = uapi_malloc(key_len);
(void)memcpy_s(write_value, key_len, test_nv_value, key_len);
errcode_t nv_ret_value = uapi_nv_write(key, write_value, key_len);
if (nv_ret_value != ERRCODE_SUCC) {
/* ERROR PROCESS */
uapi_free(wrt_value);
return ERRCODE_FAIL;
}
/* APP PROCESS */
uapi_free(wrt_value);
return ERRCODE_SUCC;
应用NV配置¶
上电时，调用读NV接口把功率配置读出，配置到实际生效的寄存器中，应用代码sdk不可见。
RT201 FEM 配置说明¶
NV结构参见“定制化NV结构”章节。
其中控制RT201 FEM使能的字节为第7个字节，写1表示版本带FEM配置。
除了修改app.json , 还提供AT指令”AT+FEMENABLE=1” ”AT+FEMENABLE=0”来使能和关闭FEM配置，AT指令发送后需重新上下电生效。
Sample广播功率¶
SDK开发sample时，需要手动配置广播参数，其中广播功率的大小也可以通过参数配置。
SLE广播¶
SLE广播参数结构¶
如图announce_tx_power为广播功率参数，取值范围[20,-127]。
广播功率配置¶
实际功率档位为当前配置的功率向下最接近的档位功率。
例如：announce_tx_power配置为18，实际发出的广播功率就是最大档位6dBm。如果配置的值小于-4，则直接返回0，也就是最低档位，实际发出功率为-4dBm。
BLE广播¶
BLE广播参数结构¶
实际功率档位为当前配置的功率向下最接近的档位功率。
例如：tx_power配置为10，实际发出的广播功率则为最大档位6dBm。如果配置的值小于-4，则直接返回0，也就是最低档位，实际发出功率为-4dBm。
