Hi3516CV610 DDR3 参数配置方法

前言

概述

本文档详细的描述DDR相关参数配置方法及具体的操作指导。

须知：

Hi3516CV610按功能不同区分为Hi3516CV610-10B/20S/00S/00G/20G 不同型号，本文档主要介绍单封DDR，仅适用于Hi3516CV610-00S/00G。

产品版本

与本文档相对应的产品版本如下。

产品名称	产品版本
Hi3516C	V610

读者对象

本文档（本指南）主要适用于以下工程师：

符号约定

在本文中可能出现下列标志，它们所代表的含义如下。

符号	说明
	表示如不避免则将会导致死亡或严重伤害的具有高等级风险的危害。
	表示如不避免则可能导致死亡或严重伤害的具有中等级风险的危害。
	表示如不避免则可能导致轻微或中度伤害的具有低等级风险的危害。
	用于传递设备或环境安全警示信息。如不避免则可能会导致设备损坏、数据丢失、设备性能降低或其它不可预知的结果。 “须知”不涉及人身伤害。
	对正文中重点信息的补充说明。 “说明”不是安全警示信息，不涉及人身、设备及环境伤害信息。

修改记录

文档版本	发布日期	修改说明
00B01	2024-04-10	第1次临时版本发布。

说明：

1T信号指CKE、CSN、ODT、RESET，2T信号指的是除1T外的其他AC信号。

寄存器地址

DDR PHY：0x11150064
寄存器描述

Bit[21]、Bit[17]：读方向DQS/DQ驱动配置
驱动大小定义
- Bit[21]、Bit[17]=00：40ohm
- Bit[21]、Bit[17]=01：34ohm
- Bit[21]、Bit[17]=10：Reserved
- Bit[21]、Bit[17]=11：Reserved

注意：

写方向ODT配置对于DQS和DQ信号同时生效。

Hi3516CV610存储器接口在对接DDR3的时候，支持最大数据位宽16bit，单通道模式。关于DDR的相关配置都是在uboot表格中实现的，Hi3516CV610发布的DDR3只有一个uboot表格，对应DMEB单板的设计。

DMEB uboot表格：Hi3516CV610-DMEB_4L-DDR3_2133M_512MB_16bit

发布表格支持的DDR规格如表1所示。

表 1 发布表格支持的DDR规格

Uboot表格	总容量/总位宽	通道	DDR类型	DDR速率（Mbps）	Rank 数量	DDR位宽(单颗粒位宽*数量)	单颗DDR容量
DMEB uboot表格	512MB/16bit	通道0	DDR3	2133	1	16bit*1	4Gbit

说明：

如果只是将DMEB板的颗粒容量改为单颗小容量的颗粒，不用修改uboot表格可以直接兼容。